ASML: El Arquitecto Holandés de la Era de los Semiconductores

Resumen Ejecutivo

Desde sus humildes comienzos en una caseta con goteras junto a una oficina de Philips en 1984 ¹, ASML Holding N.V. ha protagonizado un ascenso improbable hasta convertirse en la piedra angular de la industria global de semiconductores.³ Nacida de una empresa conjunta entre Philips y ASM International (ASMI) ¹, la compañía superó enormes desafíos iniciales para erigirse como el líder tecnológico indiscutible en equipos de litografía, las máquinas esenciales para fabricar microchips avanzados.¹ Su dominio es absoluto en la litografía de ultravioleta extremo (EUV), una tecnología revolucionaria que ha requerido décadas de desarrollo y miles de millones en inversión, y en la que ASML ostenta un monopolio de facto.³ Esta posición se sustenta en una innovación implacable, adquisiciones estratégicas y una simbiosis crucial con su socio óptico, la alemana Zeiss SMT, proveedor exclusivo de los espejos de precisión atómica necesarios para EUV.⁷ ASML no es solo un proveedor de equipos; es un habilitador fundamental de la Ley de Moore, impulsando la creación de chips cada vez más pequeños, potentes y eficientes energéticamente que sustentan la inteligencia artificial, la computación de alto rendimiento y la economía digital.³ Su importancia estratégica la sitúa en el centro de las tensiones geopolíticas, especialmente en relación con los controles de exportación hacia China.⁴ A pesar de estos vientos en contra y la competencia histórica de empresas como Nikon y Canon ¹¹, ASML continúa empujando las fronteras tecnológicas con el desarrollo de la litografía EUV de alta apertura numérica (High-NA) ¹³, asegurando su papel central en el futuro previsible de la fabricación de semiconductores.

Génesis de un Gigante: De Spin-off de Philips a la Independencia (1984-1995)

La Empresa Conjunta Philips & ASMI: Justificación y Formación

A principios de la década de 1980, el panorama de la industria de semiconductores estaba cambiando. Los grandes conglomerados integrados verticalmente, como Philips, se enfrentaban a una competencia creciente y a la necesidad de especialización. El desarrollo y la fabricación de equipos de producción de chips, particularmente las complejas máquinas de litografía necesarias para imprimir patrones en obleas de silicio, se estaban convirtiendo en un campo para proveedores especializados capaces de impulsar la innovación requerida por la Ley de Moore.⁵ Las políticas industriales europeas, guiadas por la Comisión Europea, también fomentaban la innovación y la colaboración en industrias emergentes como la microelectrónica, buscando reducir la dependencia de equipos estadounidenses y revitalizar conglomerados europeos.⁵

Dentro de Philips, el desarrollo interno de steppers de obleas (máquinas de litografía) había alcanzado altos estándares técnicos, pero la estructura corporativa interna carecía de la agilidad y el enfoque necesarios para competir eficazmente a nivel industrial.⁵ Los crecientes costos, la competencia global y los rápidos avances tecnológicos impulsaban a grandes empresas como Philips a desinvertir en actividades no esenciales y reenfocarse.⁵ La litografía era una de esas actividades. Philips vio la oportunidad de capitalizar su tecnología existente, desarrollada desde principios de los 70, antes de que quedara obsoleta, escindiéndola en una entidad separada.⁵

Simultáneamente, Arthur del Prado, fundador y CEO de Advanced Semiconductor Materials International (ASMI), una empresa holandesa pionera en tecnología de película delgada, vio una oportunidad estratégica. Reconoció que los laboratorios de investigación de grandes corporaciones como Philips se estaban convirtiendo en incubadoras de innovaciones que luego se escindían.⁵ Asociarse con Philips para comercializar su tecnología de litografía ofrecía a ASMI una vía de entrada al prestigioso y lucrativo mercado de la litografía, complementando su cartera de equipos de semiconductores.⁵

Así, el 1 de abril de 1984, nació formalmente ASM Lithography (más tarde abreviada simplemente a ASML, perdiendo su significado original) como una empresa conjunta (joint venture, JV) entre Philips y ASMI.¹ Su mandato inicial era claro: comercializar el stepper de obleas PAS 2000 que Philips había desarrollado internamente.⁵ La nueva empresa comenzó sus operaciones modestamente, en una caseta prefabricada con goteras junto a un edificio de Philips en Eindhoven, Países Bajos.¹ El equipo inicial estaba formado por 47 empleados de la división S&I (Science & Industry) de Philips, quienes, a pesar de las dudas iniciales y de considerar la JV como una forma de desmantelamiento de activos por parte de Philips, aceptaron dar el salto a la incierta startup.⁵ Poco después, en 1985, la empresa, ya con 100 empleados, se trasladó a su nueva sede y fábrica construida en Veldhoven, cerca de los laboratorios de investigación de Philips, que sigue siendo su sede central hoy en día.²

Navegando los Primeros Obstáculos: Desafíos Tecnológicos y Entrada al Mercado

Los primeros años de ASML estuvieron marcados por formidables desafíos. Como startup desconocida de los Países Bajos, carecía de acceso al mercado establecido y de la credibilidad necesaria para convencer a los fabricantes de chips de la fiabilidad y el rendimiento de su tecnología.² Competía ferozmente contra gigantes establecidos como Nikon y Canon de Japón, y GCA y Perkin-Elmer de EE. UU..¹⁵

El producto inicial, el stepper PAS 2000 lanzado en 1984, utilizaba luz de línea g (436 nm) de lámparas de mercurio.² Si bien se basaba en la I+D de Philips, enfrentaba limitaciones técnicas, como una platina de obleas hidráulica que necesitaba ser rediseñada por una eléctrica más moderna.⁵ ASML lanzó rápidamente el PAS 2500 en 1986/87, que utilizaba luz de línea i (UV, 365 nm) e incorporaba una nueva tecnología de alineación que sentaría las bases para futuras innovaciones.²

Un hito crucial en estos primeros años fue el establecimiento, en 1986, de la asociación estratégica con el fabricante alemán de lentes Carl Zeiss.² Esta colaboración resultaría fundamental para el éxito tecnológico a largo plazo de ASML, especialmente en la era EUV. La compañía también comenzó a hacer incursiones tentativas en el mercado asiático, facilitadas por una fundición conjunta de Philips en Taiwán.² Un pedido temprano y significativo de Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), fundada por Morris Chang, proporcionó una validación importante.⁶

Sin embargo, las ventas eran escasas y la empresa luchaba por sobrevivir.² La situación financiera se volvió crítica a finales de la década de 1980. La feroz competencia, las pocas ventas, una recesión en la industria electrónica global que obligó a Philips a implementar recortes de costos drásticos, y la incapacidad de ASMI para mantener las altas inversiones necesarias con escaso retorno, llevaron a ASMI a retirarse de la JV y vender sus acciones en 1988 (completado en 1990).² ASML, devoradora de efectivo y con pocos clientes, se encontraba al borde del colapso. Su supervivencia pendía de un hilo, salvada únicamente por una inversión final crucial de Philips, persuadida por el miembro de la junta directiva Henk Bodt, quien creía firmemente en el potencial de la I+D en curso.² Esta experiencia cercana a la muerte probablemente forjó una cultura corporativa resiliente y subrayó la necesidad imperiosa de lograr avances tecnológicos disruptivos para asegurar la viabilidad.

El Avance Decisivo: PAS 5500 y el Camino hacia la OPV

La inversión de última hora de Philips se utilizó sabiamente. En un año, ASML lanzó la plataforma PAS 5500.² Inicialmente ofreciendo litografía de línea i, la plataforma evolucionó rápidamente para incorporar tecnologías DUV más avanzadas, como KrF (el primer stepper KrF, PAS 5000/70, se envió en 1991) y, más tarde, la tecnología de scanner (el primer step-and-scan, PAS 5500/500, se envió en 1997).¹⁷ La PAS 5500 ofrecía una productividad y resolución líderes en la industria en ese momento.²

Este producto representó un punto de inflexión. La PAS 5500 atrajo a los clientes clave que ASML necesitaba desesperadamente para alcanzar la rentabilidad y establecerse como un competidor serio en el mercado de equipos de litografía.² Fue el primer paso hacia la madurez de la empresa.

Con el éxito de la PAS 5500 como base, ASML estaba lista para la independencia. En 1995, la compañía se convirtió en una empresa pública totalmente independiente, cotizando en las bolsas de valores de Ámsterdam y Nueva York (NASDAQ) a través de una Oferta Pública de Venta (OPV).² Philips vendió la mitad de su participación en la OPV y el resto en los años siguientes.² La OPV proporcionó a ASML el capital necesario para financiar su crecimiento futuro, invertir masivamente en I+D de tecnologías de litografía de vanguardia y expandir sus operaciones globales y sus instalaciones en Veldhoven, que se convertirían en su nueva sede central en De Run.² La independencia financiera y estratégica permitió a ASML trazar su propio rumbo y embarcarse en la ambiciosa apuesta por la tecnología EUV que definiría su futuro.

La Ciencia de Encoger Circuitos: Comprendiendo la Fotolitografía

Principios Fundamentales: Patrones, Fotorresina, Exposición, Grabado

La fotolitografía, también conocida como litografía óptica, es el proceso central en la fabricación de microchips o circuitos integrados (ICs).²¹ Su función es transferir patrones geométricos increíblemente pequeños y complejos desde una plantilla (llamada fotomáscara o retícula) a la superficie de una oblea de silicio.¹⁵ Este proceso es análogo a la fotografía o, de forma más simple, al uso de plantillas o moldes para galletas, pero a una escala nanométrica y con una precisión extrema.²¹ ASML no fabrica los chips en sí, sino las sofisticadas máquinas (llamadas scanners o steppers) que realizan el paso crucial de la exposición en este proceso.¹

El proceso fotolitográfico fundamental consta de varios pasos clave que se repiten decenas de veces (hasta 50 o incluso 100 veces) para construir las múltiples capas que componen un chip moderno ¹⁵:

1. Preparación del Sustrato: Se parte de una oblea delgada de silicio ultrapuro.²¹
2. Aplicación de Fotorresina: La oblea se recubre uniformemente con una fina capa de un material químico sensible a la luz llamado fotorresina (photoresist).¹⁵
3. Exposición: Se utiliza una máquina de litografía (como las de ASML) para proyectar luz (generalmente ultravioleta) a través de una fotomáscara que contiene el patrón deseado para una capa específica del chip. La luz incide sobre la fotorresina en las áreas no bloqueadas por la máscara.¹⁵ La exposición provoca un cambio químico en las propiedades de la fotorresina iluminada.²¹
4. Revelado: La oblea se sumerge en una solución reveladora. Dependiendo del tipo de fotorresina (positiva o negativa), las áreas expuestas o no expuestas se disuelven, dejando un patrón de fotorresina sobre la oblea que replica el diseño de la máscara.²¹
5. Grabado (Etching): Se utiliza un proceso químico o de plasma para eliminar el material de la oblea (por ejemplo, óxido de silicio o metal) en las áreas que no están protegidas por la fotorresina restante.²¹ Esto transfiere el patrón al material subyacente de la oblea.
6. Eliminación de la Fotorresina: Finalmente, se elimina la fotorresina restante, dejando el patrón grabado en la capa de la oblea, lista para el siguiente ciclo de procesamiento (como deposición de nuevos materiales o implantación iónica).²¹

El objetivo de este ciclo repetitivo es crear miles de millones de transistores y sus interconexiones con dimensiones nanométricas y un control preciso de forma y tamaño sobre toda la superficie de la oblea.²¹ Esto permite la continua miniaturización de los chips, siguiendo la Ley de Moore, para lograr mayor potencia de cálculo, velocidad y eficiencia energética.⁵ El proceso exige condiciones de operación extremadamente limpias (salas blancas) y obleas perfectamente planas para evitar defectos.²¹

Evolución de la Luz: De Lámparas de Mercurio a Láseres DUV (línea i, KrF, ArF)

La capacidad de la fotolitografía para imprimir características cada vez más pequeñas está fundamentalmente ligada a la longitud de onda de la luz utilizada. La resolución (el tamaño mínimo de la característica imprimible) está gobernada por el criterio de Rayleigh, que indica que una menor longitud de onda (λ) permite una mayor resolución.¹⁹ Por lo tanto, la historia de la litografía ha sido una búsqueda constante de fuentes de luz con longitudes de onda progresivamente más cortas.¹⁹

Los primeros sistemas de ASML, como el PAS 2000, utilizaban lámparas de vapor de mercurio. Estas lámparas generan luz al pasar electricidad a través de mercurio gaseoso, emitiendo varias longitudes de onda que luego se filtran para seleccionar la deseada.¹⁹ Inicialmente, se usó la línea g (luz azul, λ=436nm), capaz de imprimir características de aproximadamente 1 micrómetro (1000 nm).² Rápidamente, ASML y la industria pasaron a la línea i (luz ultravioleta, λ=365nm), utilizada en el PAS 2500, que permitió resoluciones por debajo del micrómetro, llegando finalmente hasta unos 220 nm.² Nikon y Canon también desarrollaron activamente steppers de línea g y línea i en esta época.¹⁷

A mediados de los 80 y principios de los 90, la demanda de características aún más pequeñas impulsó la transición a longitudes de onda más cortas en el espectro ultravioleta profundo (Deep Ultraviolet, DUV), lo que requirió un cambio fundamental hacia fuentes de luz láser: los láseres excimer.¹⁶ Estos láseres utilizan mezclas de gases nobles y halógenos (como Kriptón-Flúor o Argón-Flúor) que, al ser excitados eléctricamente, forman moléculas temporales (excímeros) que emiten luz DUV de una longitud de onda específica al volver a su estado fundamental.¹⁹

• Láseres KrF: Utilizando Kriptón-Flúor, generan luz a λ=248nm. ASML lanzó su primer stepper KrF (PAS 5000/70) en 1991.¹⁷ Nikon (1988) y Canon (1997) también introdujeron sistemas KrF.¹⁷ Empresas como Cymer (fundada en 1986 y adquirida por ASML en 2013) se convirtieron en proveedores clave de estas fuentes láser.¹³
• Láseres ArF: Utilizando Argón-Flúor, generan luz a λ=193nm, permitiendo una resolución aún mayor. ASML desarrolló su primera herramienta ArF (PAS 5500/900) en 1998 ¹⁷, seguida de cerca por Nikon (1999) y Canon (1999).¹⁷

Un avance crucial llegó en 2003 cuando ASML introdujo la litografía de inmersión.¹⁵ Esta técnica proyecta la luz ArF de 193 nm a través de una fina capa de agua ultrapura interpuesta entre la lente final del sistema óptico y la oblea.²⁰ El agua tiene un índice de refracción más alto que el aire, lo que efectivamente acorta la longitud de onda de la luz en el medio y permite utilizar ópticas con una apertura numérica (NA) superior a 1 (hasta 1.35), algo imposible en aire.²⁰ La litografía de inmersión ArF (ArFi) mejoró drásticamente la resolución posible con la fuente de 193 nm, extendiendo la vida útil de la tecnología DUV y retrasando la necesidad de pasar a la mucho más compleja EUV.²⁰ ArFi se convirtió en el caballo de batalla para fabricar nodos avanzados durante muchos años.²⁸

Es importante destacar que las diversas tecnologías DUV (línea i, KrF, ArF seca, ArFi) siguen siendo absolutamente esenciales en la fabricación de chips moderna. Se utilizan para imprimir la gran mayoría de las capas de un chip que no requieren la resolución extrema de EUV, debido a su madurez, mayor rendimiento (throughput) y menor costo.⁹ DUV sigue siendo la tecnología dominante en términos de volumen de mercado y equipos instalados.²⁸ La transición de lámparas relativamente simples a láseres excimer complejos ilustra la creciente dificultad técnica y el costo asociado con el avance de la litografía, una tendencia que se magnificaría exponencialmente con EUV.¹⁸

La Revolución EUV: Dominando la Luz Ultravioleta Extrema

La Apuesta de Décadas: ¿Por Qué EUV?

A principios de la década de 2000, la industria de semiconductores se enfrentaba a un muro inminente. Extender aún más la litografía DUV, incluso con inmersión ArF, requería técnicas cada vez más complejas y costosas como el multi-patterning (exponer y grabar la misma capa varias veces con diferentes máscaras para lograr patrones más finos).³⁵ Estas técnicas aumentaban drásticamente el número de pasos de fabricación, los costos, el tiempo de ciclo y el riesgo de defectos.⁹ La litografía de ultravioleta extremo (EUV), con su longitud de onda radicalmente más corta de 13.5nm (más de 14 veces menor que los 193nm de ArF), prometía una solución: la capacidad de imprimir características mucho más pequeñas (por debajo de 10 nm) con un solo paso de exposición, simplificando el proceso para los nodos tecnológicos más avanzados.⁹ EUV se consideró esencial para continuar la histórica tendencia de miniaturización dictada por la Ley de Moore y para fabricar los chips de próxima generación necesarios para aplicaciones emergentes como la inteligencia artificial (IA), la realidad aumentada (AR) y la computación de alto rendimiento (HPC).³

La exploración de EUV comenzó ya en la década de 1980.⁹ Un consorcio industrial estadounidense, financiado por el Departamento de Energía (DoE) y motivado en parte por el deseo de recuperar el liderazgo tecnológico frente a los competidores japoneses, impulsó la investigación inicial.⁶ Sin embargo, los fabricantes de litografía estadounidenses de la época, como SVG (anteriormente Perkin-Elmer), carecían de la capacidad o los recursos para llevar la tecnología a la producción comercial.⁶ A los líderes japoneses, Nikon y Canon, se les negó el acceso a licencias clave de la tecnología desarrollada con fondos estadounidenses, ya que se les percibía como fuertes competidores.³⁶ ASML, en cambio, fue invitada a unirse al consorcio y, tras su adquisición estratégica de SVG en 2001, obtuvo acceso a propiedad intelectual crucial, licencias y talento de ingeniería, posicionándose como el principal candidato para comercializar EUV.⁶ Este giro de los acontecimientos, influenciado por decisiones de política industrial y geopolítica, resultó ser un factor determinante en el eventual liderazgo de ASML.

El camino hacia EUV fue, sin embargo, una apuesta monumental que duró décadas y consumió miles de millones de dólares en I+D (más de 9 mil millones mencionados).³ La tecnología enfrentó enormes desafíos técnicos en múltiples frentes (fuente de luz, óptica, máscaras, contaminación, vacío) y un escepticismo generalizado sobre su viabilidad comercial.³ La introducción comercial, originalmente prevista para mediados de la década de 2000, se retrasó significativamente, casi dos décadas desde el plan original.⁶

Un momento decisivo llegó en 2012 con el programa de coinversión de clientes, conocido como «The Musketeer Project».³ Ante los enormes costos y riesgos restantes, ASML convenció a sus clientes más grandes (Intel, TSMC y Samsung) para que invirtieran colectivamente más de 1.38 mil millones de euros y adquirieran participaciones significativas en la empresa (Intel 15%, TSMC 5%, Samsung 3%).³ Esta alianza estratégica no solo proporcionó financiación crucial para el último impulso de I+D, sino que también aseguró el compromiso de los clientes con la tecnología, compartiendo el riesgo y la recompensa y garantizando un mercado para las futuras máquinas EUV. Esta estrategia poco convencional fue fundamental para superar los últimos obstáculos.

Finalmente, tras años de perseverancia, la tecnología maduró. ASML envió los primeros prototipos EUV en 2007 ¹³ y los primeros chips de prueba se fabricaron en 2008.²⁷ El envío de sistemas de producción en volumen (la serie NXE) comenzó alrededor de 2017 ¹³, y el primer producto comercial habilitado por EUV (un smartphone de Samsung) llegó al mercado en 2019.⁶ Para diciembre de 2020, ASML había enviado su sistema EUV número 100.²⁷ Hoy en día, las máquinas EUV de ASML son indispensables para fabricar las capas más críticas de los chips en los nodos de 7 nm, 5 nm y 3 nm.³

Generando lo Imposible: La Fuente de Plasma Producido por Láser (LPP)

Uno de los mayores obstáculos para EUV fue la creación de una fuente de luz de 13.5nm que fuera suficientemente potente, estable y fiable para la producción en masa.³⁵ La luz EUV es absorbida por prácticamente todos los materiales, incluido el aire y el vidrio utilizado en las lentes ópticas tradicionales.⁹

La solución adoptada por ASML, desarrollada en gran parte por Cymer (empresa que ASML adquirió en 2013 para asegurar el control de esta tecnología crítica tras encontrar que la I+D era más difícil de lo previsto ¹³), es la fuente de Plasma Producido por Láser (Laser-Produced Plasma, LPP).⁹ El proceso es extraordinariamente complejo:

1. Se disparan minúsculas gotas de estaño fundido (de unos 25 micrómetros de diámetro) a alta velocidad (70m/s) dentro de una cámara de vacío.¹⁹
2. Cada gota es impactada primero por un pulso láser de baja intensidad (pre-pulso) de un potente láser de CO2 (suministrado por TRUMPF), que aplana la gota en forma de disco.¹⁹
3. Inmediatamente después, un segundo pulso láser de CO2 de alta potencia golpea la gota aplanada.¹⁹
4. Este impacto vaporiza instantáneamente el estaño, creando un plasma extremadamente caliente (cerca de 220,000°C, casi 40 veces la temperatura de la superficie solar) que emite intensamente luz EUV de 13.5nm.⁶
5. Todo este proceso se repite a una frecuencia asombrosa de 50,000 veces por segundo para generar un flujo continuo de fotones EUV.⁶

La evolución de la potencia de esta fuente fue un desafío clave. Las primeras fuentes generaban solo unos pocos vatios (por ejemplo, 10W), lo que limitaba severamente el rendimiento (obleas por hora, wph) de las máquinas EUV y amenazaba su viabilidad económica.³⁵ Alcanzar el objetivo de 250W (necesario para un rendimiento de aproximadamente 125 wph) fue un hito crucial que tardó años en lograrse.³⁵ Sin embargo, los informes recientes sobre las primeras herramientas High-NA que superan los objetivos iniciales de potencia de la fuente sugieren una madurez significativa de esta tecnología.⁴⁰

Guiando la Luz: Óptica Reflectante y el Imperativo del Vacío

Dado que la luz EUV es absorbida por el vidrio, los sistemas ópticos refractivos tradicionales (lentes) utilizados en la litografía DUV son inviables.⁹ En su lugar, las máquinas EUV de ASML emplean un sistema óptico completamente reflectante.

La columna óptica que recoge, guía, da forma y enfoca la luz EUV desde la fuente hasta la oblea está compuesta por una serie de espejos curvos de alta precisión.⁷ Estos espejos, suministrados exclusivamente por el socio estratégico Zeiss SMT, son maravillas de la ingeniería óptica (ver Sección 5). Reflejan la luz EUV mediante un fenómeno de interferencia constructiva gracias a recubrimientos multicapa extremadamente precisos.²⁰

Además, debido a que incluso el aire absorbe fuertemente la luz EUV, toda la trayectoria óptica, desde la fuente de plasma hasta la oblea de silicio, debe mantenerse en un entorno de vacío ultra alto.⁹ Esto añade una capa masiva de complejidad al diseño y operación de la máquina, incluyendo sistemas sofisticados para manejar las obleas y las máscaras dentro y fuera del vacío mediante robots de precisión y esclusas de aire.⁹

Incluso la fotomáscara (retícula), que contiene el patrón del circuito a imprimir, no es una máscara de transmisión como en DUV, sino un espejo reflectante multicapa con el patrón definido por áreas que absorben o reflejan la luz EUV.⁹ Finalmente, platinas de oblea de ultra precisión posicionan la oblea bajo el haz de luz proyectado con una exactitud subnanométrica, realizando miles de ajustes por segundo para garantizar una superposición perfecta capa tras capa.⁹ La integración exitosa de todos estos subsistemas extremadamente complejos – la fuente LPP, la óptica reflectante de precisión, el entorno de vacío, el control de la contaminación por estaño ³⁶, y la metrología avanzada – representa la esencia del logro de ASML en EUV y constituye una barrera de entrada formidable para cualquier competidor potencial.

La Asociación Indispensable: Zeiss y la Cima de la Óptica de Precisión

Una Relación Simbiótica: ASML y Zeiss SMT

La historia de éxito de ASML está inextricablemente ligada a su relación con Carl Zeiss SMT (Semiconductor Manufacturing Technology), el segmento de la icónica empresa alemana de óptica dedicado a la fabricación de semiconductores. Esta asociación estratégica se remonta a 1986, casi desde los inicios de ASML.² Zeiss SMT ha sido el proveedor de los sistemas ópticos críticos – lentes para DUV y espejos para EUV – para todas las generaciones de máquinas de litografía de ASML.²⁰

En el ámbito de EUV, esta asociación es aún más crucial: Zeiss SMT es el único proveedor en el mundo capaz de diseñar y fabricar los complejos sistemas de espejos reflectantes multicapa con la precisión requerida.⁷ ASML reconoce abiertamente a Zeiss SMT como el eslabón crítico de su cadena de suministro; sin los sistemas ópticos de Zeiss, la producción en Veldhoven se detendría.⁸ Se estima que más del 80% de los chips del mundo se fabrican utilizando sistemas ASML que contienen óptica Zeiss.⁴²

Esta interdependencia se profundizó en 2016, cuando ASML invirtió 1.5 mil millones de euros para adquirir una participación del 24.9% en Carl Zeiss SMT.⁸ Esta inversión no solo fortaleció la asociación, sino que también ayudó a financiar la enorme I+D necesaria para desarrollar la próxima generación de ópticas, incluyendo las requeridas para la litografía EUV de alta apertura numérica (High-NA).⁸ El crecimiento de los ingresos de Zeiss SMT ha ido de la mano con el de ASML, reflejando esta simbiosis.⁸ La colaboración ASML-Zeiss se presenta a menudo como un ejemplo paradigmático de la fortaleza tecnológica y la cooperación europea, capaz de dar forma al mercado tecnológico global.⁷ Esta relación va más allá de un simple acuerdo cliente-proveedor; es un monopolio tecnológico co-dependiente donde las capacidades únicas de cada empresa se refuerzan mutuamente, creando una barrera de entrada casi infranqueable.

Maravillas de la Ingeniería: Espejos EUV Multicapa (Materiales, Recubrimientos, Interferencia)

La necesidad de utilizar espejos en lugar de lentes en EUV surge de la física fundamental: la luz de 13.5nm es absorbida por todos los materiales sólidos y gases conocidos.⁹ Para superar este obstáculo, Zeiss desarrolló espejos reflectantes basados en recubrimientos multicapa.

Estos espejos consisten en una pila de decenas (entre 40-50 ³⁶ y hasta 100 ²⁰) de pares de capas alternas extremadamente finas de Molibdeno (Mo) y Silicio (Si), depositadas sobre un sustrato de espejo curvo ultra liso.²⁶ Cada capa individual tiene un grosor de solo unos pocos nanómetros, equivalente a unas pocas capas atómicas.²⁶

El mecanismo de reflexión no es el de un espejo convencional. En cambio, se basa en la interferencia constructiva de las ondas de luz reflejadas en las múltiples interfaces entre las capas de Mo y Si.²⁶ El grosor preciso de cada capa está diseñado para que las reflexiones de la luz de 13.5nm que incide en un ángulo específico se sumen en fase, amplificando la reflectividad total.²⁶ Este principio es similar a la reflexión de Bragg utilizada en cristalografía de rayos X.³⁹

Gracias a un sistema de recubrimiento único desarrollado en colaboración con el Instituto Fraunhofer IOF, que permite una precisión a nivel atómico, Zeiss logra una reflectividad de hasta el 70% para la luz EUV.²⁶ Aunque este es un logro notable (el límite teórico para Mo/Si es de alrededor del 75% ³⁶), significa que cada espejo todavía absorbe alrededor del 30% de la luz. En un sistema óptico EUV que puede contener seis o más espejos de proyección, además de los espejos colectores y de iluminación, la pérdida total de luz es enorme (por ejemplo, 0.76≈11.7%, lo que significa que casi el 90% de la luz se pierde). Esto subraya la necesidad crítica de una fuente de luz EUV extremadamente brillante.³⁶ La física fundamental de la interacción luz-materia en la región EUV dictó la necesidad de esta compleja solución de óptica reflectante multicapa, y dominar la ciencia de materiales y los procesos de fabricación para lograrla se convirtió en el desafío tecnológico central que Zeiss resolvió de manera única a escala industrial.

Alcanzando la Perfección: Suavidad a Nivel Atómico y Obstáculos de Fabricación

La fabricación de estos espejos EUV representa la cúspide de la ingeniería de precisión. Se les describe como los «espejos más precisos del mundo».⁷ Cualquier irregularidad, incluso a escala microscópica o molecular, puede provocar errores de imagen inaceptables que resultarían en chips defectuosos.³

La suavidad de la superficie del espejo es primordial. Los espejos EUV de Zeiss se pulen hasta alcanzar una rugosidad inferior al grosor de un átomo (menos de 0.1 nanómetros).²⁰ Una analogía utilizada para ilustrar esta precisión es que si uno de estos espejos tuviera el tamaño de Alemania, la «montaña» más alta en su superficie mediría solo 0.1 mm ²⁶ o 1 mm.²⁰

Lograr esta perfección implica superar enormes desafíos de fabricación:

• Pulido y Forma: Conseguir una suavidad y uniformidad a nivel atómico sobre grandes superficies de espejos curvos con formas complejas.²⁰
• Recubrimiento Multicapa: Depositar cientos de capas alternas de Mo/Si, cada una de pocos nanómetros de grosor, con una precisión y uniformidad atómicas utilizando sistemas de deposición de vapor altamente especializados.²⁶
• Control de Defectos: Asegurar que las capas múltiples estén libres de defectos, ya que cualquier imperfección puede dispersar la luz o convertirse en un punto de fallo.³⁶
• Estabilidad Mecatrónica: Mantener la forma y la posición de los espejos con una estabilidad extrema (a nivel de nanómetros o incluso picómetros) durante la operación de la máquina, a pesar de las cargas térmicas de la intensa luz EUV y las vibraciones dinámicas de las platinas móviles. Esto requirió el desarrollo de conceptos mecatrónicos completamente nuevos con miles de actuadores para compensar activamente las deformaciones.⁷ La precisión de posicionamiento se compara con poder apuntar un rayo láser desde el espejo a la Luna y acertar a una pelota de ping pong en su superficie.²⁶
• Protección y Contaminación: Proteger los delicados espejos de la contaminación dentro del entorno de vacío, especialmente de los residuos de estaño generados por la fuente LPP, y del daño inducido por la propia radiación EUV.³⁶ El desarrollo de pellicles (membranas protectoras ultrafinas y transparentes a EUV) fue un desafío importante y prolongado para proteger las fotomáscaras reflectantes.³⁵

La necesidad de esta precisión extrema para cumplir con los requisitos de la litografía EUV se traduce directamente en la inmensa complejidad de fabricación y, en consecuencia, en el extraordinario costo de los sistemas ópticos y de las máquinas EUV en su conjunto.³³ La precisión a esta escala es inherentemente cara.

El Nexo Estratégico de ASML: El Latido del Ecosistema de Semiconductores

Más que un Proveedor: Habilitando la Ley de Moore

ASML trasciende la definición de un simple proveedor de equipos; se ha convertido en el eje central, la piedra angular y la columna vertebral de la cadena de suministro global de semiconductores avanzados.³ Sus máquinas de litografía son herramientas indispensables para la fabricación de prácticamente todos los microchips modernos.¹ Al proporcionar soluciones de patronaje líderes que impulsan el avance continuo de los microchips ¹, ASML permite la creación de circuitos integrados cada vez más pequeños, rápidos, potentes y eficientes energéticamente.³

Este papel es fundamental para la continuación de la Ley de Moore, la observación empírica de que el número de transistores en un chip se duplica aproximadamente cada dos años, lo que ha impulsado décadas de progreso tecnológico.⁵ El monopolio de facto de ASML en la tecnología EUV, la única solución viable para la fabricación en volumen de los nodos lógicos más avanzados (7 nm, 5 nm, 3 nm y más allá), le confiere una importancia estratégica sin parangón y un considerable poder de mercado.³ Sin las máquinas EUV de ASML, gigantes de la industria como TSMC, Samsung e Intel simplemente no podrían producir los chips de vanguardia que demandan aplicaciones transformadoras como la inteligencia artificial, las redes 5G/6G y la supercomputación.³ Esta posición de cuello de botella crítico en la cadena de valor de los semiconductores avanzados hace que el ecosistema global sea vulnerable a cualquier interrupción en ASML, ya sea técnica, de capacidad o geopolítica, al tiempo que otorga a la empresa una influencia considerable.

La Compleja Cadena de Suministro: Una Red de Especialistas

A pesar de su posición dominante y su enfoque en I+D, ensamblaje final y soporte al cliente ¹, el éxito de ASML depende fundamentalmente de un modelo de innovación distribuida. La empresa confía enormemente en su extensa red de proveedores, que incluye casi 5,000 proveedores de primer nivel.¹⁵ Estos socios especializados fabrican una parte muy significativa de los componentes y módulos que integran las complejas máquinas de litografía; se estima que alrededor del 80% de la lista de materiales (bill of materials) proviene de proveedores externos.⁴¹

ASML actúa como el arquitecto maestro y el integrador de sistemas, orquestando esta vasta red. Cultiva relaciones estratégicas a largo plazo, basadas en el beneficio mutuo («win-win»), con proveedores críticos, siendo la asociación con Zeiss SMT el ejemplo más destacado.⁴⁹ La colaboración estrecha es esencial para desarrollar las piezas únicas e innovadoras necesarias.⁴⁹ La empresa invierte activamente en el desarrollo de su base de suministro, exigiendo altos estándares de calidad, logística, tecnología, costo y sostenibilidad.⁴⁹ Es miembro de la Responsible Business Alliance (RBA) y espera que sus proveedores cumplan con su código de conducta, incluyendo políticas sobre minerales de conflicto (como estaño, tantalio, tungsteno y oro – 3TG).⁴⁹ Realiza evaluaciones anuales de riesgo y organiza Días del Proveedor para fomentar la relación y alinear estrategias.⁴⁹

Este modelo de ecosistema permite la innovación paralela en múltiples frentes, pero también requiere una gestión sofisticada de la cadena de suministro y crea dependencias significativas. ASML opera en un mercado nicho caracterizado por productos de altísimo valor y bajo volumen, que involucran miles de piezas especializadas.⁴⁹ Debe gestionar activamente los riesgos de la cadena de suministro, como posibles cuellos de botella en materiales escasos (por ejemplo, metales de tierras raras para imanes, para los que ASML ha desarrollado formulaciones alternativas como mitigación ⁴¹) y las fluctuaciones cíclicas inherentes a la industria de semiconductores.⁴¹ Además, el crecimiento de ASML impulsa el crecimiento de sus proveedores (se estima que cada nuevo empleado de ASML genera 2.5 empleos en la cadena de suministro), y la empresa colabora incluso en la atracción de talento para su ecosistema.⁴¹ La cuestión de si este modelo distribuido seguirá siendo óptimo para tecnologías futuras aún más complejas como High-NA es un tema de debate.⁵⁰

Importancia Geopolítica y Seguridad de la Cadena de Suministro

La tecnología de ASML, y en particular su monopolio EUV, se considera un activo estratégico de importancia global. Esto convierte a la empresa y a sus productos en un punto focal de las tensiones geopolíticas, especialmente en la creciente rivalidad tecnológica entre Estados Unidos y China.³

Como resultado, ASML se ha visto sometida a estrictos controles de exportación que restringen la venta de sus sistemas más avanzados (EUV y, más recientemente, ciertos sistemas DUV de inmersión) a China.³ Estas restricciones son impulsadas en gran medida por Estados Unidos, que ha presionado al gobierno holandés para que las implemente y las endurezca progresivamente. Este fenómeno ilustra la «armamentización» de la tecnología de semiconductores como herramienta de política exterior y seguridad nacional. La posición única de ASML la convierte en una palanca clave para los gobiernos (principalmente EE. UU.) que buscan limitar el avance tecnológico de sus rivales (principalmente China).

Esta situación obliga a ASML a navegar por un camino complejo, equilibrando sus intereses comerciales con los mandatos de seguridad nacional y las regulaciones de exportación.⁵¹ En respuesta a los riesgos geopolíticos inherentes a la concentración de la fabricación de chips en regiones como Taiwán, ASML ha considerado, según informes, medidas drásticas de seguridad tecnológica, como la implementación de «interruptores de apagado» (kill switches) que permitirían desactivar remotamente sus máquinas en caso de una toma hostil o uso no autorizado, protegiendo así la propiedad intelectual crítica.¹⁰ Esto subraya la importancia de la soberanía tecnológica y la necesidad de proteger la integridad de la cadena de suministro.¹⁰

Al mismo tiempo, las iniciativas gubernamentales en EE. UU. y Europa (como las respectivas Leyes de Chips) buscan fomentar la producción nacional de semiconductores.⁴ Si bien esto podría, a largo plazo, diversificar geográficamente la base de clientes de ASML y reducir la dependencia de Asia Oriental, también refleja la creciente politización de la industria.

Dominio y Competencia: Analizando la Posición de Mercado de ASML

El Panorama del Mercado de Litografía: DUV vs. EUV

ASML es, sin lugar a dudas, el líder dominante en el mercado global de equipos de litografía para semiconductores.¹³ Las estimaciones de su cuota de mercado global varían según la fuente y la metodología, pero apuntan a una posición preponderante. Algunas fuentes indican una cuota del 62% del valor total del mercado de litografía en 2022 ¹¹, mientras que otras sugieren cifras aún mayores, superiores al 90%, aunque estas últimas probablemente se refieren a segmentos específicos de alto valor como DUV avanzado y EUV combinados.¹²

El dominio de ASML es absoluto en el segmento de EUV, donde posee el 100% del mercado.³ Esta tecnología es la más avanzada, la más cara y esencial para fabricar chips en nodos de 7 nm y por debajo.³ El mercado EUV, aunque representa una fracción del volumen total de máquinas, tiene un valor significativo (estimado en 9.42 mil millones de USD en 2023 ⁵⁹ o 11.53 mil millones de USD en 2025 ⁴³) y está experimentando un rápido crecimiento.⁴³ En 2024, se estimó que EUV representaba alrededor del 19.6% del valor total del mercado de equipos de litografía.²⁹

ASML también ostenta una posición muy fuerte en el mercado DUV avanzado, particularmente en la litografía de inmersión ArF (ArFi) y ArF seca.³⁰ Una fuente afirma que ASML tiene más del 90% del mercado DUV total ¹², aunque esto parece elevado considerando la presencia de competidores en segmentos DUV más maduros. El mercado DUV en su conjunto (incluyendo i-line, KrF, ArF seca y ArFi) sigue siendo el segmento más grande en términos de volumen de unidades y valor total (estimado en 72.5% ³¹ o 61% ³² del mercado en 2024). La litografía ArFi es el subsegmento DUV más grande por valor.²⁸ ASML envía cientos de sistemas DUV cada año.⁴⁵

Sus competidores históricos, Canon y Nikon, siguen siendo actores relevantes, pero principalmente en los segmentos DUV más maduros y de menor margen, como KrF (248 nm) y especialmente i-line (365 nm).¹¹ Canon, en particular, ha logrado pivotar con éxito hacia el mercado i-line, donde era líder en 2023 con una cuota estimada del 57%.⁶⁰ Estas herramientas DUV más antiguas siguen siendo cruciales para muchas capas en la fabricación de chips (tanto avanzados como maduros) y para mercados específicos como MEMS, automoción, IoT y sensores.³⁰ Esto sugiere un modelo de coexistencia donde diferentes tecnologías litográficas atienden diferentes necesidades de costo y rendimiento dentro de la misma fábrica de chips.

Tabla: Estimación de la Cuota de Mercado de Litografía (Basado en datos de 2022/2023)

La siguiente tabla resume las cuotas de mercado estimadas para los principales segmentos de litografía, basada en datos disponibles para años recientes. Es importante notar que las cifras pueden variar entre fuentes y años.

Nota: Las cuotas de mercado son estimaciones y pueden variar. La cuota de «Valor Total» es particularmente sensible a la inclusión/exclusión de diferentes segmentos y años.

Esta tabla ilustra claramente el dominio de ASML en las tecnologías más avanzadas (EUV y ArFi), mientras que Canon y Nikon mantienen posiciones significativas en los mercados DUV más maduros, especialmente i-line para Canon.

Rivales Desvanecidos: Por Qué Nikon y Canon Quedaron Atrás en EUV

Nikon y Canon fueron pioneros y líderes en las primeras generaciones de equipos de litografía.¹⁵ Sin embargo, a pesar de invertir inicialmente en la investigación y desarrollo de EUV, ambas compañías finalmente abandonaron sus esfuerzos en esta tecnología crítica, cediendo el campo por completo a ASML.⁶

Las razones de este fracaso son multifactoriales:

• Costo y Complejidad Descomunales: El desarrollo de EUV resultó ser un desafío técnico y financiero de una magnitud sin precedentes.⁶ Los miles de millones de dólares en inversión requerida, la necesidad de dominar simultáneamente múltiples tecnologías radicalmente nuevas (fuente LPP, óptica reflectante multicapa, vacío extremo, control de contaminación) y la incertidumbre sobre su viabilidad comercial durante muchos años ³ probablemente excedieron la capacidad o el apetito de riesgo de Nikon y Canon.
• Ventaja Estratégica y Ecosistema de ASML: ASML se benefició de factores clave que sus competidores no tuvieron o no pudieron replicar: acceso temprano a I+D fundamental financiada por EE. UU. ⁶, adquisiciones estratégicas que le dieron control sobre tecnologías críticas (SVG para óptica/licencias, Cymer para la fuente) ⁶, la asociación simbiótica indispensable con Zeiss para la óptica ⁷, y el crucial programa de coinversión que aseguró financiación y compromiso de los clientes clave en la recta final.³ ASML construyó un ecosistema de soporte que sus rivales no igualaron.⁶
• Estructura Corporativa y Enfoque: A diferencia de ASML, que tras su OPV se convirtió en una empresa puramente enfocada en litografía ³⁸, Nikon y Canon son grandes conglomerados diversificados con negocios principales en cámaras, equipos de oficina, etc..³³ Las dificultades en sus mercados centrales durante las décadas de 2000 y 2010 ³³ pudieron haber reducido su capacidad o voluntad para sostener la inversión masiva y a largo plazo que requería la apuesta de alto riesgo de EUV. Canon, por ejemplo, admitió haberse quedado atrás en el desarrollo de las máquinas más avanzadas y retiró productos de 193 nm del mercado prematuramente.³³ Esta dependencia de la trayectoria previa y la estructura corporativa pudieron haber hecho que la inversión radical en EUV fuera menos atractiva o viable para ellos en comparación con la apuesta existencial que representaba para ASML.

Como consecuencia, ASML consolidó un monopolio en el segmento más avanzado y lucrativo (EUV), mientras Nikon y Canon se vieron relegados a competir en los mercados DUV maduros, de menor margen, o a explorar tecnologías alternativas.¹¹

Tecnologías Emergentes: La Litografía de Nanoimpresión (NIL) de Canon – ¿Una Amenaza Creíble?

Mientras Nikon parece haberse centrado en optimizar su oferta DUV para mercados específicos como China ⁶⁰, Canon ha estado invirtiendo durante más de 15 años en una tecnología radicalmente diferente: la Litografía de Nanoimpresión (Nanoimprint Lithography, NIL).⁶² En octubre de 2023, Canon anunció su primera herramienta NIL comercial, la FPA-1200NZ2C ¹¹, y envió la primera unidad a un instituto de investigación estadounidense (TIE) en octubre de 2024.⁶⁵

La tecnología NIL funciona de manera fundamentalmente distinta a la fotolitografía. En lugar de proyectar luz, utiliza una máscara (o «sello») con el patrón del circuito grabado en relieve para presionar físicamente ese patrón sobre una capa de resina (resist) aplicada a la oblea.¹¹ Este método de «estampado» elimina la necesidad de complejos sistemas ópticos y fuentes de luz de alta energía.⁶⁵

Las ventajas potenciales de NIL son atractivas:

• Costo: Canon afirma que las máquinas NIL son significativamente más baratas que las EUV, posiblemente «un dígito menos» ⁶⁵ o un 40% del costo.⁶³ La simplicidad del equipo también podría reducir los costos operativos.⁶⁸
• Consumo de Energía: Se afirma que NIL consume hasta un 90% menos de energía que las máquinas EUV, que son notoriamente intensivas en energía.¹¹
• Resolución: Canon declara que su herramienta actual puede alcanzar una anchura de línea mínima de 14 nm (equivalente al nodo de 5 nm) ⁶², con potencial para llegar a 10 nm (nodo de 2 nm) con mejoras en la tecnología de máscaras.⁶² Ofrece una reproducción muy precisa del patrón ⁶⁷ y puede crear estructuras 3D complejas en un solo paso.⁶⁸

Sin embargo, NIL enfrenta desafíos y escepticismo significativos:

• Defectos y Rendimiento (Yield): Históricamente, el principal problema de NIL ha sido la alta tasa de defectos generados por el contacto físico directo entre la máscara y la oblea, así como por la posible contaminación.⁶³ Aunque Canon afirma haber resuelto en gran medida estos problemas ⁶³, la viabilidad en producción masiva con rendimientos consistentemente altos (cercanos al 90%) aún no se ha demostrado.⁴⁸
• Rendimiento (Throughput): NIL se considera a menudo un proceso inherentemente más lento y secuencial (estampando áreas pequeñas sucesivamente) en comparación con la exposición paralela de áreas grandes en fotolitografía, lo que limita su adecuación para la fabricación de alto volumen (HVM).⁶⁸
• Integración y Ecosistema: NIL es incompatible con los flujos de diseño, máscaras e infraestructuras existentes para DUV y EUV, lo que complica enormemente su inserción en las fábricas actuales.⁶³ La fabricación de las máscaras NIL en sí misma puede ser compleja y costosa.⁶² La precisión de superposición (overlay) entre capas es también una preocupación crítica.⁶²
• Aceptación del Mercado: Canon necesita convencer a los fabricantes de chips de la fiabilidad, el rendimiento y la viabilidad de integrar NIL en sus procesos.⁶³ El largo historial de desarrollo sin éxito comercial genera dudas.⁶⁹ Algunos analistas ven NIL más como una tecnología nicho o una herramienta complementaria para aplicaciones específicas (como memoria 3D NAND ⁶² u óptica/fotónica ⁶²) que como un reemplazo directo de la fotolitografía para lógica avanzada.⁶⁴

Además, incluso si NIL demuestra ser técnicamente viable para nodos avanzados, es probable que las herramientas capaces de producirlos sigan estando sujetas a las mismas restricciones de exportación a China que los equipos DUV y EUV avanzados.⁶³ En resumen, NIL representa un desafío potencial interesante y disruptivo para el dominio de ASML debido a sus promesas de costo y eficiencia energética, pero enfrenta una inercia significativa del ecosistema establecido y debe superar obstáculos técnicos históricos relacionados con defectos y rendimiento para convertirse en una amenaza creíble en la fabricación de lógica de vanguardia.

Empujando la Frontera: EUV de Alta NA y Más Allá

El Próximo Salto: Mayor Apertura Numérica (0.55 NA)

Para continuar la miniaturización de los transistores más allá de las capacidades de la actual generación de litografía EUV (conocida como Low-NA EUV, con una apertura numérica de 0.33), ASML, en colaboración con Zeiss, está desarrollando la siguiente generación: EUV de Alta Apertura Numérica (High-NA EUV).⁹ El objetivo es alcanzar nodos tecnológicos por debajo de los 3 nm, como el nodo 14A (1.4 nm) de Intel y equivalentes.¹³

La clave de High-NA EUV es el aumento de la apertura numérica (NA) del sistema óptico de proyección de 0.33 a 0.55.⁹ La NA es una medida de la capacidad del sistema óptico para capturar luz desde un ángulo más amplio; una NA mayor permite enfocar la luz en un punto más pequeño, lo que se traduce directamente en una mayor resolución y la capacidad de imprimir características más finas en la oblea.¹⁴

Esta nueva generación de máquinas pertenece a la plataforma «EXE» de ASML (por ejemplo, los modelos EXE:5000 y EXE:5200).¹³ Zeiss suministra los nuevos y significativamente más grandes sistemas ópticos necesarios para alcanzar la NA de 0.55.⁷

El desarrollo está muy avanzado. ASML envió el primer módulo de un sistema High-NA a Intel a finales de 2023 o principios de 2024.¹³ El primer sistema completo (EXE:5000) se instaló en Intel, seguido rápidamente por un segundo.⁴⁰ Para el primer trimestre de 2025, ASML ya había enviado cinco sistemas High-NA, que se encontraban en las instalaciones de tres clientes diferentes.⁷¹ Se espera que la producción en serie con esta tecnología comience en 2025 o 2026.⁷ Intel parece ser el adoptante más temprano, con el objetivo de utilizarla para su nodo 14A ⁴⁰, mientras que TSMC podría introducirla más tarde, quizás alrededor de 2028 para su nodo A16 o posterior.⁷⁰

Óptica Anamórfica, Stitching y el Camino hacia Nodos Sub-3nm

Para lograr la alta NA de 0.55 sin que el sistema óptico se vuelva impracticablemente grande y complejo, las máquinas High-NA EUV utilizan un novedoso diseño de óptica anamórfica.⁴⁰ A diferencia de los sistemas ópticos tradicionales (incluido el Low-NA EUV) que tienen la misma magnificación en las direcciones X e Y, la óptica anamórfica utiliza diferentes factores de magnificación en los dos ejes ortogonales.⁴⁰ Esto permite alcanzar la alta NA necesaria para la resolución en una dirección, gestionando al mismo tiempo el tamaño y la complejidad general del sistema.

Una consecuencia directa de este diseño anamórfico y la alta NA es una reducción en el tamaño del campo de exposición (el área que se puede imprimir en la oblea de una sola vez), típicamente se reduce a la mitad en una dimensión en comparación con Low-NA EUV.⁴⁰ Esto significa que para fabricar chips grandes, como las GPUs utilizadas en IA y HPC, es necesario exponer el patrón en múltiples «pasadas» que luego deben unirse o «coserse» (stitching) con una precisión extrema para formar el diseño completo del chip.⁴⁰

La necesidad de stitching era una preocupación importante, pero los primeros resultados publicados por Intel y ASML indican que la precisión de superposición (overlay) entre los campos cosidos cumple con los requisitos, sugiriendo que no hay una penalización de rendimiento inherente al stitching.⁴⁰ No obstante, queda por ver la aceptación total por parte de los clientes sin fábrica (fabless) y si surgirán limitaciones en las reglas de diseño en las zonas de costura.⁴⁰

High-NA EUV se considera fundamental para permitir la fabricación de nodos de proceso más allá de 3 nm, como 2 nm y por debajo.⁹ Podría simplificar significativamente los complejos esquemas de multi-patterning que se requieren actualmente con Low-NA EUV para ciertas capas críticas, reemplazando potencialmente múltiples pasos de exposición y grabado con una sola exposición High-NA.⁴⁰

Tabla: Comparación de Tecnologías Litográficas (DUV vs. EUV vs. High-NA EUV)

La siguiente tabla compara parámetros clave entre las principales tecnologías de litografía utilizadas y en desarrollo por ASML:

Nota: La resolución depende de múltiples factores (k1, proceso). Los costos son relativos y muy elevados en términos absolutos para EUV/High-NA.

Esta tabla resume las diferencias fundamentales en especificaciones, complejidad y aplicación entre las generaciones de litografía, destacando el salto tecnológico que representa High-NA.

Beneficios vs. Desafíos: Costo, Complejidad y Necesidades de Infraestructura

La transición a High-NA EUV promete beneficios significativos, principalmente una mayor resolución que permite continuar la escalada de densidad de transistores (se afirma una densidad 3 veces mayor ¹⁴) y potencialmente simplificar los procesos al reducir la necesidad de multi-patterning.⁴⁰ Los primeros informes de Intel sobre las herramientas instaladas también son alentadores en cuanto a la fiabilidad (85% alcanzado rápidamente) y la potencia de la fuente (superando el objetivo inicial del 110%).⁴⁰

Sin embargo, los desafíos son igualmente monumentales:

• Costo Exorbitante: Las máquinas High-NA (como la EXE:5000) tienen un precio estimado cercano a los 400 millones de dólares, casi el doble que una máquina Low-NA EUV.⁴⁰ Esto plantea serias dudas sobre la viabilidad económica para muchos fabricantes y el impacto en el costo final de las obleas y los chips.⁴⁰ La adopción de High-NA estará fuertemente condicionada por consideraciones económicas, no solo técnicas.
• Complejidad Extrema: Estos sistemas son aún más complejos que sus predecesores Low-NA. Son máquinas gigantescas y pesadas (la óptica de proyección pesa unas 12 toneladas, la de iluminación 6 toneladas, y la máquina completa unas 150 toneladas).¹⁴ La óptica anamórfica y la necesidad de mecanismos de stitching precisos añaden capas adicionales de complejidad.⁴⁰ Requieren modificaciones significativas en la infraestructura de las fábricas.
• Infraestructura de Máscaras: High-NA necesita una generación completamente nueva de fotomáscaras (retículas) adaptadas a la óptica anamórfica y con características aún más pequeñas.⁴⁰ Además, existe un debate sobre la necesidad de pasar a máscaras de mayor tamaño (por ejemplo, 6×12 pulgadas en lugar de las actuales 6×6 pulgadas) para mejorar la productividad del scanner (al exponer un campo más grande) y potencialmente eliminar el problema del stitching.⁴⁰ Sin embargo, este cambio requeriría una coordinación y una inversión masiva en toda la industria de máscaras (fabricantes de máscaras, fabricantes de equipos de inspección y reparación, y el acuerdo de todos los principales fabricantes de chips como TSMC y Samsung), lo que podría llevar años o incluso una década.⁴⁰
• Madurez del Ecosistema: Más allá de la máquina en sí, todo el ecosistema de soporte – incluyendo pellicles adaptados a High-NA, nuevas fotorresinas optimizadas, metrología avanzada y software de corrección óptica (OPC) ⁴⁰ – necesita madurar y estar listo para la producción en volumen.³⁵

El éxito de High-NA depende de la resolución coordinada de todos estos desafíos técnicos, económicos y de infraestructura. Mientras tanto, ASML ya está mirando más allá, hacia conceptos como «Hyper-NA» para la era de los transistores CFET ⁴⁰, demostrando que la carrera por la miniaturización está lejos de terminar. La creciente interdependencia de todo el ecosistema de semiconductores se magnifica con cada nueva generación tecnológica, haciendo que la transición a High-NA sea particularmente compleja. La agresiva adopción temprana de High-NA por parte de Intel representa una apuesta estratégica calculada para intentar recuperar el liderazgo en procesos frente a competidores como TSMC, que parecen adoptar un enfoque más cauteloso.¹³

Navegando Vientos Globales en Contra: Salud Financiera y Controles de Exportación

Instantánea del Desempeño Financiero

ASML ha demostrado un sólido desempeño financiero, impulsado por la fuerte demanda de sus sistemas de litografía, tanto DUV como, especialmente, EUV.¹³ Los ingresos de la compañía han experimentado un crecimiento sustancial a lo largo de los años, pasando de 5.2 mil millones de euros en 2010 a más de 18 mil millones en 2021 ¹⁶, alcanzando los 27.6 mil millones en 2023 ¹³ y los 28.3 mil millones en 2024.⁴⁵

Los resultados financieros recientes (utilizando los datos más actuales disponibles, como el Q1 2025) confirman esta fortaleza:

• Q1 2025: Ventas netas totales de 7.7 mil millones de euros, un beneficio neto de 2.4 mil millones de euros y un margen bruto del 54.0%, superando las previsiones gracias a una mezcla favorable de productos EUV y el logro de hitos de rendimiento.⁷¹ Las reservas netas de pedidos (net bookings) en el trimestre fueron de 3.9 mil millones de euros, de los cuales 1.2 mil millones correspondieron a sistemas EUV.⁷¹
• Año Fiscal 2024: Ventas netas totales de 28.3 mil millones de euros, beneficio neto de 7.6 mil millones de euros y un margen bruto del 51.3%.⁴⁵

Las perspectivas de la compañía también son positivas, aunque sujetas a la incertidumbre macroeconómica y geopolítica:

• Guía Q2 2025: Ventas netas totales entre 7.2 y 7.7 mil millones de euros, con un margen bruto entre 50% y 53%.⁷¹
• Guía Año Fiscal 2025: Ventas netas totales previstas entre 30 y 35 mil millones de euros, con un margen bruto entre 51% y 53%.⁴ La compañía espera que 2025 y 2026 sean años de crecimiento, impulsados principalmente por la demanda relacionada con la inteligencia artificial.⁷¹
• Potencial a Largo Plazo (2030): ASML ha delineado escenarios que contemplan ventas anuales totales entre 44 y 60 mil millones de euros para 2030.⁴

La compañía mantiene una sólida rentabilidad, como reflejan sus beneficios netos y márgenes brutos consistentemente altos.¹⁶ Además, ASML retorna valor a sus accionistas a través de dividendos crecientes y programas de recompra de acciones.⁴⁵ Aunque opera en una industria inherentemente cíclica, ASML se beneficia de las tendencias seculares de crecimiento a largo plazo, como la digitalización y la IA.⁴ Los ingresos por servicios y actualizaciones de su base instalada también proporcionan un flujo de ingresos recurrente que aporta estabilidad.⁴

El Factor China: Controles de Exportación e Impacto en el Mercado

China emergió como el mercado geográfico más grande para ASML en términos de ventas en 2024, representando el 36% de los ingresos totales.⁵² Este aumento se debió en gran medida a la fuerte demanda de sistemas DUV y a la liquidación de pedidos acumulados de años anteriores.²⁹ Sin embargo, esta prominencia coincide con una intensificación de los controles de exportación destinados a limitar el acceso de China a la tecnología de fabricación de semiconductores de vanguardia.

Las restricciones de exportación, impulsadas principalmente por Estados Unidos y adoptadas (en diversos grados) por el gobierno holandés, han afectado progresivamente a ASML:

• Los sistemas EUV más avanzados nunca han podido ser exportados a China debido a las regulaciones.⁴
• En 2023, las restricciones se ampliaron para incluir los sistemas DUV de inmersión más avanzados (por ejemplo, Twinscan NXT:2000i y posteriores).⁵⁸
• Nuevas reglas estadounidenses emitidas a finales de 2024 endurecieron aún más los controles, afectando a software relacionado (como la litografía computacional), equipos de metrología, y añadiendo más fábricas chinas a las listas de entidades restringidas.⁵³ Estas reglas podrían afectar también la exportación de sistemas DUV de inmersión más antiguos (como los modelos 1970i y 1980i) si el gobierno holandés alinea sus controles.⁵⁶ También existe preocupación sobre si las restricciones afectarán al mantenimiento y suministro de piezas para los equipos ya instalados en China.⁵¹

La respuesta y perspectiva de ASML ante esta situación es matizada:

• La compañía reitera su compromiso de cumplir con todas las leyes y regulaciones aplicables, incluidas las de control de exportaciones.⁵⁶
• Prevé que la participación de China en sus ventas totales disminuya significativamente, volviendo a niveles más históricos, alrededor del 20% en 2025.⁵²
• A pesar de esta reducción proyectada en el mercado chino, ASML mantiene su guía financiera general para 2025 (ventas de 30-35 mil millones de euros).⁵³ Esto sugiere que la fuerte demanda global en otros mercados (impulsada por la IA, etc.) y su poder de fijación de precios están compensando el impacto directo de las restricciones chinas, al menos a corto plazo. Los escenarios a largo plazo para 2030 tampoco se han visto afectados.⁵⁶
• ASML continúa invirtiendo en su infraestructura de servicio en China para atender el negocio permitido, como demuestra la planificación de un nuevo centro de reparación en Beijing para 2025.⁵²

La dinámica geopolítica subyacente es compleja. Estados Unidos presiona activamente a sus aliados (Países Bajos, Japón) para que armonicen y endurezcan los controles sobre China.⁵¹ El gobierno holandés se encuentra en una posición delicada, tratando de equilibrar las preocupaciones de seguridad nacional compartidas con EE. UU. con los importantes intereses económicos de ASML y del país.⁵¹ China, por su parte, ha expresado su fuerte descontento y ha advertido a ASML y a los Países Bajos sobre el riesgo de perder permanentemente el acceso a su vasto mercado si se pliegan completamente a las demandas estadounidenses.⁵¹ El CEO de ASML ha manifestado que, en su opinión, los controles actuales son efectivos para mantener a China significativamente rezagada (unos 10-15 años) en la fabricación de chips avanzados.⁵²

El endurecimiento de los controles sobre los equipos DUV, incluso los de generaciones anteriores, y el potencial impacto en el mantenimiento, representan un desafío significativo para la industria china de semiconductores, no solo para alcanzar la vanguardia, sino también para expandir la capacidad en nodos maduros y explorar posibles soluciones alternativas (como el multi-patterning DUV intensivo). Esto subraya la importancia estratégica persistente de todas las generaciones de herramientas litográficas. ASML y el gobierno holandés continúan realizando un delicado acto de equilibrio entre el cumplimiento de las restricciones de seguridad y la preservación de los intereses económicos en un mercado chino crucial, como lo demuestran la continua presencia de servicios de ASML y la postura matizada del gobierno holandés.

Conclusión: El Dominio Duradero de ASML y su Trayectoria Futura

ASML representa una de las historias de éxito tecnológico y empresarial más notables de las últimas décadas. Desde sus orígenes como una incierta empresa conjunta surgida de Philips y ASMI, ha superado crisis financieras y desafíos técnicos monumentales para convertirse en el líder indiscutible y el eje central de la industria global de equipos de litografía de semiconductores. Sus logros tecnológicos, desde la plataforma DUV PAS 5500 que aseguró su supervivencia hasta la revolucionaria y monopolística tecnología EUV, han sido fundamentales para sostener el ritmo implacable de la Ley de Moore y habilitar la era digital moderna.

Este dominio se ha construido sobre una base de innovación implacable, decisiones estratégicas audaces (como las adquisiciones de SVG y Cymer, y el programa de coinversión de clientes para EUV) y, de manera crucial, una asociación simbiótica y co-dependiente con el especialista en óptica Zeiss SMT. Juntos, han superado barreras físicas y de ingeniería que parecían insuperables, creando máquinas de una complejidad y precisión asombrosas.

La posición actual de ASML es de una fortaleza envidiable: un monopolio en el segmento más crítico y de mayor crecimiento (EUV), una sólida posición en DUV avanzado, una salud financiera robusta y un papel indispensable en el ecosistema global de semiconductores. Sin embargo, este dominio no está exento de desafíos. La compañía opera en una industria cíclica y se encuentra en el epicentro de crecientes tensiones geopolíticas, con los controles de exportación hacia China como el ejemplo más palpable. Navegar este complejo entorno, equilibrando las demandas de seguridad nacional con los intereses comerciales, será una tarea constante.

Mirando hacia el futuro, ASML se enfrenta a la monumental tarea de llevar la litografía EUV de Alta Apertura Numérica (High-NA) a la producción en volumen. Si bien esta tecnología promete impulsar la miniaturización a nuevos límites (nodos sub-3nm), también presenta desafíos sin precedentes en términos de costo, complejidad y la necesidad de una maduración coordinada de todo el ecosistema (máscaras, resists, metrología). La viabilidad económica de High-NA y su impacto en la dinámica de costos de la Ley de Moore serán factores clave a observar. Mientras tanto, tecnologías alternativas como la nanoimpresión de Canon, aunque enfrentan obstáculos significativos, representan un recordatorio de que la disrupción tecnológica siempre es una posibilidad a largo plazo.

En última instancia, ASML se encuentra en una encrucijada única donde convergen la tecnología más avanzada del planeta, cadenas de suministro globales de una complejidad exquisita y la geopolítica de altas apuestas. Su capacidad para continuar innovando, gestionando su ecosistema y navegando por las turbulentas aguas globales determinará no solo su propio futuro, sino también, en gran medida, la trayectoria de toda la industria de semiconductores y el mundo digital que esta sustenta.

Obras citadas

1. About ASML | Supplying the semiconductor industry, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/company/about-asml
2. Our history | ASML – Supplying the semiconductor industry, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/company/about-asml/history
3. How ASML Is Redefining Technology, One Nanometer at a Time – WisdomTree, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.wisdomtree.com/investments/blog/2025/01/16/how-asml-is-redefining-technology-one-nanometer-at-a-time
4. Why ASML Dominates the Chip Market – Simply Wall St, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://simplywall.st/community/narratives/nl/semiconductors/ams-asml/asml-holding-shares/why-asml-dominates-the-chip-market
5. ASML’s founding story: our roots in the semiconductor industry | ASML, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/news/stories/2024/asml-founding-story
6. ASML: Architecting Earth’s Most Complex Machines – Quartr, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://quartr.com/insights/company-research/asml-architecting-earths-most-complex-machines
7. Extremely precise, extremely successful: 30 years of EUV lithography optics at ZEISS SMT, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.zeiss.com/semiconductor-manufacturing-technology/news-and-events/smt-press-releases/2025/euv-30-years.html
8. How ZEISS and ASML Enable the Modern Chip Industry, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://hoeijmakers.net/zeiss-and-asml/
9. EUV lithography systems – Products | ASML, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/products/euv-lithography-systems
10. ASML Implements Kill Switches to Protect Semiconductor Supply Chain – News & Blog, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://blog.partstat.com/asmls-strategic-safeguards-protecting-the-semiconductor-supply-chain-amid-geopolitical-tensions/
11. Japan fights back! Which companies related to lithography equipment for semiconductor circuits will counter ASML with new technologies for cutting-edge fields such as AI and counter-trend strategies? – Moomoo, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.moomoo.com/community/feed/japan-strikes-back-what-brands-are-related-to-exposure-devices-112296812937222
12. Global DUV Lithography Systems Market Research Report 2025, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://reports.valuates.com/market-reports/QYRE-Auto-23W9388/global-duv-lithography-systems
13. ASML Holding N.V. (ASML): history, ownership, mission, how it works & makes money – dcfmodeling.com, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://dcfmodeling.com/blogs/history/asml-history-mission-ownership
14. High-NA-EUV lithography: mirroring the future – ZEISS, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.zeiss.com/semiconductor-manufacturing-technology/smt-magazine/high-na-euv-lithography.html
15. ASML Holding – Wikipedia, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://en.wikipedia.org/wiki/ASML_Holding
16. The Evolution Of ASML: From Niche Player To Global Semiconductor Leader – Seat11a, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://seat11a.com/blog-the-evolution-of-asml-from-niche-player-to-global-semiconductor-leader/
17. Chronology of Lithography Milestones Atsuhiko Kato, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.lithoguru.com/scientist/litho_history/Kato_Litho_History.pdf
18. The Tunnel at the End of the Light: The Future of the U.S. Semiconductor Industry – Issues in Science and Technology, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://issues.org/van_atta/
19. Light & lasers – Lithography principles – ASML, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/technology/lithography-principles/light-and-lasers
20. Lenses & mirrors – Lithography principles – ASML, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/technology/lithography-principles/lenses-and-mirrors
21. Photolithography – Wikipedia, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://en.wikipedia.org/wiki/Photolithography
22. Lithography – Semiconductor Processing – HORIBA, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.horiba.com/int/semiconductor/process/lithography/
23. Photolithography in chip making process – MIRAI Intex Technology, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://mirai-intex.com/blog/photolithography-in-chip-making-process
24. Semiconductor Front-End Process Episode 3: Photolithography, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://news.skhynix.com/semiconductor-front-end-process-episode-3/
25. How EUV lithography works – YouTube, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.youtube.com/watch?v=RI3lCUEzSvE
26. EUV lithography for chip manufacturing | ZEISS SMT, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.zeiss.com/semiconductor-manufacturing-technology/inspiring-technology/euv-lithography.html
27. Making EUV: from lab to fab – Stories – ASML, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/news/stories/2022/making-euv-lab-to-fab
28. Lithography Equipment Market Size, Share | Forecast [2032] – Fortune Business Insights, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.fortunebusinessinsights.com/lithography-equipment-market-110434
29. Lithography Equipment Market Size, Share & Trend Report, 2034, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.gminsights.com/industry-analysis/lithography-equipment-market
30. ASML Monopoly : r/Semiconductors – Reddit, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.reddit.com/r/Semiconductors/comments/1ac6um2/asml_monopoly/
31. Semiconductor Lithography Equipment Market | CAGR at 8.10%, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://market.us/report/semiconductor-lithography-equipment-market/
32. Semiconductor Lithography Equipment Market Analysis | Industry Growth, Size & Forecast Report – Mordor Intelligence, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.mordorintelligence.com/industry-reports/semiconductor-lithography-equipment-market
33. Canon struggles in litho as tool prices soar – EE Times, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.eetimes.com/canon-struggles-in-litho-as-tool-prices-soar/
34. Semiconductor Lithography Economics-fuelling Moore’s law and market power – the waves, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.the-waves.org/2022/12/21/semiconductor-lithography-economics-fuelling-moores-law-and-market-power/
35. Looming Issues And Tradeoffs For EUV – Semiconductor Engineering, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://semiengineering.com/issues-and-tradeoffs-for-euv/
36. Extreme ultraviolet lithography – Wikipedia, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://en.wikipedia.org/wiki/Extreme_ultraviolet_lithography
37. EUV litho headed for failure, say SPIE keynoters – EE Times, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.eetimes.com/euv-litho-headed-for-failure-say-spie-keynoters/
38. How is ASML so dominant in DUV market? : r/Semiconductors – Reddit, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.reddit.com/r/Semiconductors/comments/1hwwurq/how_is_asml_so_dominant_in_duv_market/
39. Why does ASML use so many mirrors when controlling the laser light? – Reddit, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.reddit.com/r/AskEngineers/comments/y1v8mx/why_does_asml_use_so_many_mirrors_when/
40. High-NA is Here (for R&D), EUV Cost, Pattern Shaping Gaining …, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://semianalysis.com/2025/04/14/spie2025/
41. 6 ingredients of a robust supply chain – ASML, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/news/stories/2023/6-ingredients-robust-supply-chain
42. The «Invisible Giant» in Lithography Equipment-Exclusive Interview with Germany’s Carl Zeiss Semiconductor | SemiWiki, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://semiwiki.com/forum/threads/the-invisible-giant-in-lithography-equipment-exclusive-interview-with-germanys-carl-zeiss-semiconductor.20747/
43. EUV Lithography Market Size & Share Analysis – Industry Research Report – Growth Trends, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.mordorintelligence.com/industry-reports/extreme-ultraviolet-lithography-market
44. ASML – Walter Scott & Partners – Bespoke Equity Portfolio Management, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.walterscott.com/asml/
45. ASML reports €28.3 billion total net sales and €7.6 billion net income in 2024, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/news/press-releases/2025/q4-2024-financial-results
46. High-NA-EUV lithography: New technology for global microchip …, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.zeiss.com/semiconductor-manufacturing-technology/news-and-events/smt-press-releases/2024/high-na-euv-lithography.html
47. Deep UV Lithography System Market Size, Growth and Analysis Report – 2033, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://datahorizzonresearch.com/deep-uv-lithography-system-market-15254
48. Canon’s Nanoimprint Leap: Challenging ASML’s Dominance in Semiconductor Lithography, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.blog.baldengineering.com/2023/10/canons-nanoimprint-leap-challenging.html
49. Responsible value chain – ASML, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/company/sustainability/responsible-supply-chain
50. ASML’s High-NA EUV Lithography: A 2024 Update – YouTube, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.youtube.com/watch?v=UdcFpjgCnP8
51. ASML risks losing Chinese market permanently if it complies with US restrictions – Global Times, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.globaltimes.cn/page/202409/1319035.shtml
52. [News] ASML Moves Ahead with New Beijing Repair Hub in 2025 Amid Tightening Chip Export Controls – TrendForce, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.trendforce.com/news/2025/03/07/news-asml-moves-ahead-with-new-beijing-repair-hub-in-2025-amid-tightening-chip-export-controls/
53. ASML reassures investors as US targets China’s semiconductor sector, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://dig.watch/updates/asml-reassures-investors-as-us-targets-chinas-semiconductor-sector
54. Netherlands excludes ASML sales to China from export data – Techzine Europe, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.techzine.eu/news/infrastructure/127916/netherlands-excludes-asml-sales-to-china-from-export-data/
55. ASML not changing guidance after new US crackdown on China chip exports, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://ca.finance.yahoo.com/news/asml-does-not-expect-us-145115007.html
56. ASML expects impact of updated export restrictions to fall within outlook for 2025, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/news/press-releases/2024/asml-expects-impact-of-updated-export-restrictions-to-fall-within-outlook-for-2025
57. ASML statement on updated US export restrictions, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/news/press-releases/2024/asml-statement-on-updated-us-export-restrictions
58. China warns ASML over lithography equipment controls . . . again … – eeNews Europe, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.eenewseurope.com/en/china-warns-asml-over-lithography-equipment-controls-again/
59. Extreme Ultraviolet Lithography Market Size Report, 2030 – Grand View Research, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.grandviewresearch.com/industry-analysis/extreme-ultraviolet-lithography-market-report
60. Nikon looking to undercut Canon in i-line market – Bits&Chips, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://bits-chips.com/article/nikon-looking-to-undercut-canon-in-i-line-market/
61. | ASML & EUV Lithography Deep Dive with Asianometry – Compounding Curiosity, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://compoundingcuriosity.substack.com/p/asml-and-euv-lithography-deep-dive
62. Cannon to compete with ASML? A two horse race? – SemiWiki, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://semiwiki.com/forum/threads/cannon-to-compete-with-asml-a-two-horse-race.18963/
63. Canon Wants to Challenge ASML with a Cheaper 5 nm Nanoimprint Lithography Machine, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.techpowerup.com/forums/threads/canon-wants-to-challenge-asml-with-a-cheaper-5-nm-nanoimprint-lithography-machine.318452/
64. New ‘stamping’ chipmaking technique uses 90% less power than EUV — Canon to ship the first nanoimprint litho tools to customers this year or next | Tom’s Hardware, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.tomshardware.com/tech-industry/new-stamping-chipmaking-technique-uses-90-less-power-than-euv-canon-to-ship-the-first-nanoimprint-litho-tools-to-customers-this-year-or-next
65. Canon ships its first nanoprint lithography machine, rivals ASML – Data Center Dynamics, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.datacenterdynamics.com/en/news/canon-ships-its-first-nanoprint-lithography-machine-rivals-asml/
66. Release of new Nanoimprint lithography FPA-1200NZ2 semiconductor manufacturing system that covers diverse applications with simple patterning mechanism – Reddit, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.reddit.com/r/hardware/comments/176pbnn/release_of_new_nanoimprint_lithography_fpa1200nz2/
67. Canon vs. ASML: New Advances in Lithography – Electropages, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.electropages.com/blog/2023/11/canons-latest-nanolithography-systems-outperform-competitors-still-subject-trade-restrictions
68. Canon Prepares Nanoimprint Lithography Tool To Challenge EUV Scanners – AnandTech, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.anandtech.com/show/21097/canons-nanoimprint-lithography-tool-can-challenge-euv-scanners
69. Would it ever be possible for another company to catch up to ASML’s EUV lithography anytime soon? : r/Semiconductors – Reddit, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.reddit.com/r/Semiconductors/comments/1d0tonx/would_it_ever_be_possible_for_another_company_to/
70. [News] Intel Claims High-NA EUV Machines in Production with Good Results, But 18A Yield Concerns Loom – TrendForce, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.trendforce.com/news/2025/02/25/news-intel-claims-asmls-high-na-euv-machines-in-production-with-good-results-but-18a-yield-concerns-loom/
71. ASML reports €7.7 billion total net sales and €2.4 billion net income in Q1 2025, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.asml.com/en/news/press-releases/2025/q1-2025-financial-results
72. ASML reports €7.7 billion total net sales and €2.4 billion net income in Q1 2025, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.globenewswire.com/news-release/2025/04/16/3062264/0/en/ASML-reports-7-7-billion-total-net-sales-and-2-4-billion-net-income-in-Q1-2025.html
73. ASML Holding (ASML) Earnings Dates, Call Summary & Reports – TipRanks.com, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.tipranks.com/stocks/asml/earnings
74. [News] ASML: U.S. Export Controls Still Effective, Sees DeepSeek as Positive for Chip Demand – TrendForce, fecha de acceso: abril 20, 2025, https://www.trendforce.com/news/2025/02/04/news-asml-u-s-export-controls-still-effective-sees-deepseek-as-positive-for-chip-demand/